High Photocatalytic Activity of the TiO2/ZnO Mesoporous Composites Obtained by Solution Combustion Method

High Photocatalytic Activity of the TiO2/ZnO Mesoporous Composites Obtained by Solution Combustion Method

The high photocatalytic activity of the mesoporous TiO2 / ZnO composites for the degradation of Methylene Blue and Rhodamine B dyes is recorded in this work. The composites were obtained at different ZnO / TiO2 ratios during short synthesis times by the solution combustion process. X-Ray diffraction suggests TiO2 and a hexagonal wurtzite structure for ZnO in the anatase process. According to these observations, the zinc excess facilitates the formation of zinc titanate when the incorporation of ZnO into TiO2 reaches 32 percent. In the visible field, the UV-vis composite spectra display absorption associated with oxygen vacancies and carbon incorporated into ZnO during the combustion phase. A carbon integration of up to 3.47 percent is seen in the EDS study. The photocatalytic activity increased by up to 20 percent compared to that obtained when using UV radiation only when the photocatalytic process is done with UV-vis radiation. The semiconductor composite, whose ZnO content is 32.1 percent, poses the highest photocatalytic activity. A greater surface area and a better distribution of pore size are correlated with the improvement of photocatalytic function.

Author(s) Details

A. Luna-Flores
Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue. México.

I. Niño-Flores
Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue. México.

M. A. Morales
Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue. México.

A. D. Hernández-de la Luz
Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Instituto de Ciencias (CIDS- ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Col. Jardines de San Manuel, Av. San Claudio y 14 Sur, Cd. Universitaria, Edificios IC-5 y IC-6. Puebla, Pue., 72570 México.

J. A. Luna-López
Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Instituto de Ciencias (CIDS- ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Col. Jardines de San Manuel, Av. San Claudio y 14 Sur, Cd. Universitaria, Edificios IC-5 y IC-6. Puebla, Pue., 72570 México.

R. Portillo
Facultad de Ciencias Químicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 sur Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue. México.

D. Cruz-González
Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue. México.

R. Agustín-Serrano
Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 sur Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue. México.

M. P. Sampedro
Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue. México.

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Editor 251News

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